020-02-14│氮化镓 │公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发以SiC、GaN为代
│ │表第三代
半导体材料的半导体器件
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公司与中科院微电子研究所、西安电子科大合作研发的是以SiC、GaN为代表第三代半导体材料
的半导体器件,具有耐高压、耐高温、 高速和高效等优点,可大幅降低电能变换中的能量损
失,大幅减小和减轻电力电子变换装置,是当前新型电力电子器件的研发主流,其相关技术与
产品在工业传动、军工、铁路、智能电网柔性输变电、消费电子、无线电力传输等领域,以及
智能汽车及充电桩、
太阳能发电、风力发电等
新能源领域具有广阔的市场,宽禁带电力电子器
件产品将是未来电力电子技术的重要价值增长点。
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捷捷微电2020-02-14│氮化镓 │公司氮化镓(GaN)业务处于起步阶段
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氮化镓业务方面,公司正持续与通信、家电、半导体等领域客户/潜在客户接洽,目前仍主要
处于试用、验证阶段。
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耐威科技