HBM拥有比DDR S
DRAM更高的带宽和较低的耗能,是建构高速运算平台的最佳解决方案,是能够高速传输数据的HBM内存芯片成为
人工智能的必要配置。当前HBM市场还处于初期发展阶段,增长潜力巨大,据业内数据预测,HBM市场规模到2025年有望年均增长45%以上。
HBM作为高端显存芯片,用于AI加速器及高效能服务器上,2021年以来HBM在
数据中心应用快速增长。
相比于常见的 DRAM DIMM,HBM最大的优势在于DRAM芯片之间以及内存和处理器之间的带宽更高,尺寸更小。目前HBM已经迭代至 HBM3,代替DRAM DIMM成为先进高性能计算芯片的首选内存方案。
HBM3带宽较DDR5高出10倍以上,AI服务器引爆HBM新型存储需求,2025年市场规模有望快速增至25亿美元。
从技术角度看,HBM促使DRAM从传统2D加速走向立体3D,充分利用空间、缩小面积,契合半导体行 业小型化、集成化的发展趋势。HBM突破了内存容量与带宽瓶颈,被视为新一代DRAM解决方案,业界认为这是DRAM通过存储器层次结构的多样化开辟一条新的道路,革命性提升DRAM的性能。
目前SK海力士HBM技术领先,市场份额约60-70%,三星迎头赶上。
台积电 CoWoS工艺单个封装内可异质集成12颗HBM。