后摩尔时代,黑磷材料体系有望成为“杀手级”应用

股海
启明星2023-7-6 00:15 · 来自四川
随着芯片技术的发展,摩尔定律(Moore Law)已不可避免地走向三大分支:延续摩尔(More Moore)、扩充摩尔(More than Moore)、超越摩尔(Beyond Moore)。这其中,扩充摩尔(也称异质集成技术)发展迅猛,风头正劲。异质集成指的是:将单独制造组件集成为更高级别的组装体,即一颗芯片整合更多功能。
聚焦上述问题,武汉大学物理科学与技术学院何军教授课题组、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张凯研究员和湖南大学潘安练教授共同发表有关二维电子材料及光电芯片最新研究成果,围绕黑磷及其合金的单晶薄膜制备问题提出了有效解决方案。
研究团队与合作者设计开发了一种新的缓释控源的生长策略,利用“分子筛”多孔供源通道控制磷源缓释供给,维持稳定的低压生长环境,避免传统的磷源对流供给模式,获得可控的扩散供给模式,有效降低成核密度及晶体缺陷。