午盘后光芯片开始发酵，是高潮还是启动？

随着人工智能、物/车联网、工业互联网、AR/VR等新技术的逐步应用与产业化带来数据流量的快速增长，数据中心进一步向大型化、集中化转变，将带动高速率及中长距离光模块的快速发展。
由于光模块速率升级过程中会带来功率损耗、信号失真等问题，以及速率提升中对光芯片性能提出了更高要求， 进而导致整体成本提升，驱动更高速率光模块的多种技术演进。
而众多光模块演进新技术中，CPO、硅光技术、LPO等，还有另一种：薄膜铌酸锂。

据长城证券 研报，铌酸锂晶体具有光电效应多、性能可调控性强、物理化学性能稳定、光透过范围宽等特点，因此基于铌酸锂晶体的声表面波滤波器、光调制器、相位调制器、光隔离器、电光调Q开关等光电器件在电子技术、 光通信技术、激光技术等领域中得到了广泛研究和实际应用。
而光调制器制备中，根据材料不同，可为硅基方案、磷化铟方案和铌酸锂方案三种，其中铌酸锂方案具有高带宽、低插损、较高消光比、 工艺成熟等优点。同时，传输距离长达100公里以上，容量超过100G，在100G/400G相干光通讯网络中有着广泛的应用。
但是，铌酸锂方案虽性能优势，但也存在不足，比如存在1）性能提升逐渐遭遇瓶颈，且与CMOS工艺不兼容。 2）尺寸尺寸较大，难以满足光器件小型化趋势。 3）成本及价格较高等问题。
这种情况下，薄膜铌酸锂出现了。
长城证券表示，薄膜铌酸锂调制器不仅继承了铌酸锂材料的性能优势，而且在体积、成本等方面有所改善。具体来看，
1）薄膜铌酸锂调制器在性能和性价比上得到新的提升，在保留铌酸锂调制器原有的性能优势的同时使带宽获得突破；
2）尺寸显著变小，解决了体材料铌酸锂体积较大难以集成的问题，可以实现高度集成；
3）随着尺寸的减小也使单位面板传输密度提高，成本方面有进一步下降的空间。
据长城证券研报，随着高速相干光传输技术不断从长途/干线下沉到区域/数据 中心等领域，用于高速相干光通信的数字光调制器需求将持续增长，2024年全球高速相干光调制器出货量将达到 200万端，按照每个端口平均需要1～1.5个调制器，若薄膜铌酸锂调制器体渗透率可达50%，对应的市场空间约 82-110亿元。
据天风证券 研报，半导体材料包括三大类：1）单一元素构成的半导体材料，主要包括硅（ Si）、锗（Ge）2）以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的宽禁带半导体，另外一种就是，以化合物构成的半导体材料，主要包括砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）。
而光芯片按功能，可以分为激光器芯片和探测器芯片，其中激光器芯片按照材料体系划分，可以分为砷化镓GaAs和磷化铟Inp两套材料体系。

1）高性能AI超算场景下，光通信价值量得以再次提升。
英伟达 A100 DGXSuperPOD场景中，每块A100对应6只200G光模块，而在最新的满配GH200中，每块GraceHopper对应9只800G光模块。同时带来光纤用量进一步提升，连接器件向多芯、高密度结构进化。英伟达与 AMD加速向高端化产品的升级将驱动800G光模块加速放量。（国盛证券）
2）光芯片是光模块的核心元件，目前光芯片与光器件国产化程度较低，国内产品多为无源器件、低速率光芯片，根据ICC预测，2021年我国25G光芯片国产化率约20%，25G以上光芯片国产化率仅5%。
800G升级叠加AI带来长期想象空间，光模块、光器件、光芯片、陶瓷外壳等800G产业链均有望显著受益。（兴业证券 ）
3）根据材料不同，当前电光调制器制备可分为硅基方案、磷化铟方案和铌酸锂方案三种。铌酸锂调制器价格数倍于磷化铟调制器，因此在中距离传输场景下磷化铟调制器更具优势。但相较于硅光、磷化铟，薄膜铌酸锂调制器具备其它材料无法比拟的带宽优势。（长城证券）
光通信、光纤陀螺、超快激光器等领域均存在对薄膜铌酸锂调制器的需求，未来增长具备广阔的市场空间。薄膜铌酸锂调制器商业化落地，且已有公司将其应用于800G光模块

各环节厂商：1）衬底厂商：北京通美、日本JX、通美、住友、云南锗业 等。2-1）外延厂商：IQE、台湾联亚光电、台湾全新光电、台湾英特磊等，2-2）器件厂商包括Finisar、Lumentum、AOI等。3）IDM模式厂商：国内的源杰科技 、仕佳光子 、长光华芯 等。我国光芯片上游材料厂商标的稀缺，云南锗业具备磷化铟、砷化镓晶片生产能力，济南晶正的硅基铌酸锂材料一枝独秀。

$源杰科技(sh688498)$ $仕佳光子(sh688313)$ $长光华芯(sh688048)$ $光迅科技(sz002281)$ $云南锗业(sz002428)$