满版都是氮化镓 亚光科技 云南锗业 氮化镓龙头品种

个股代码	个股名称	股价	涨跌幅sz300051	三五互联	12.840	-7.16%
sz300160	秀强股份	9.350	10.00%
sz000652	泰达股份	7.530	-8.17%
sh600513	联环药业	16.230	-8.87%
sz002838	道恩股份	19.610	-10.00%
sh512480	半导体	1.976	1.49%
sz300654	世纪天鸿	18.630	-10.00%
sz000700	模塑科技	13.510	-4.25%
sz002239	奥特佳	3.640	-0.55%
sz300363	博腾股份	21.810	-9.91%

个股代码	个股名称	股价	涨跌幅sz300235	方直科技	25.300	10.00%
sz300123	亚光科技	14.870	-3.44%
sz002326	永太科技	13.670	2.32%
sh600789	鲁抗医药	12.240	-3.47%
sz300046	台基股份	24.600	5.40%
sh603301	振德医疗	35.560	-4.61%
sh600200	江苏吴中	9.560	-9.47%
sz300236	上海新阳	57.350	3.15%
sz000591	太阳能	3.720	-1.33%
sh601698	中国卫通	19.750	2.28%

5G时代又一大重磅产品亮相：

2020年2月13日下午，小米通过线上直播发布会的形式，面向百万观众，正式发布了小米10系列手机以及部分配件产品。其中，小米65W氮化镓充电器成为本次发布会的一大亮点，据小米首席执行官雷军介绍，该款充电器具有小巧、高效、发热低等特点，并且支持小米10疾速快充，从0充电至100%仅需45分钟。搭配小米10 Pro可实现50W快充，还可为笔记本充电，售价149元，2月18日开卖。

小米就此成为了第一家将氮化镓USB PD快充单独零售的手机企业，并且149元的零售价更是创下行业新低，引发行业人士高度关注。

小米GaN急速充电器，应用半导体第三代材料氮化镓GaN技术。 

氮化镓的前世今生

氮化镓，分子式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，属于极稳定的化合物，自1990年起常用在发光二极管中。它的坚硬性好，还是高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。

1998年中国十大科技成果之一是合成纳米氮化镓；

2014年3月，美国雷声公司氮化镓晶体管技术获得突破，首先完成了历史性X-波段GaN T/R模块的验证；

2015年1月，富士通和美国Transphorm在会津若松量产氮化镓功率器件；2015年3月，松下和英飞凌达成共同开发氮化镓功率器件的协议；同月，东芝照明技术公司开发出在电源中应用氮化镓功率元件的卤素LED灯泡；

2016年2月，美国否决中资收购飞利浦，有无数人猜测是美帝在阻止中国掌握第三代LED氮化镓技术；

2016年3月，科巴姆公司与RFHIC公司将联合开发GaN大功率放大器模块。

GaN是第三代半导体材料，相比于第一代的硅（Si）以及第二代的砷化镓（GaAs）等，

GaN第三代半导体材料具备比较突出的优势特性：

（1）禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；

（2）较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；

（3）电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。

也就是说，利用GaN人们可以获得具有更大带宽、更高放大器增益、更高能效、尺寸更小的半导体器件。

5G带给GaN新机遇

5G 将带来半导体材料革命性的变化，因为对5G的严格要求不仅体现在宏观上带来基站密度致密化，还要求在器件级别上实现功率密度的增强。

特别是随着通讯频段向高频迁移，基站和通信设备需要支持高频性能的射频器件。虽然许多其它化合物半导体和工艺也将在5G发展中发挥重要作用，但GaN 的优势将逐步凸显。GaN将以其功率水平和高频性能成为 5G 的关键技术。

随着5G网络应用的日益临近，将从2019年开始为 GaN器件带来巨大的市场机遇。相比现有的硅LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体技术）和GaAs（砷化镓）解决方案，GaN器件能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能。

而且，GaN的宽带性能也是实现多频载波聚合等重要新技术的关键因素之一。

GaN HEMT（高电子迁移率场效晶体管）已经成为未来宏基站功率放大器的候选技术。

预计到2025年，GaN将主导射频功率器件市场，抢占基于硅LDMOS技术的基站PA市场。

两个都吹？？？

背景：

1、2月13日雷军通过网络直播的方式，正式发布了小米10系列手机新品。随着小米10的正式开售，小米官方再度传来捷报，根据小米官方公布的数据，小米10开售1分钟，全平台销售额突破2亿。
2、小米10的开售引起较大的关注，产品亮点有几个：
①搭档产品：小米发布了新款手机小米 10 Pro，同时更引人关注的是发布了 65W 氮化镓的充电器，体积是标配的一半大小，售价 149元。
该充电器采用氮化镓(GaN)技术，氮化镓是第三代半导体材料(即化合物半导体)的典型代表。最高支持65W疾速充电，搭配小米10 Pro可实现50W快充。
得益于5G提速等，氮化镓将被广泛应用于通讯基站、功率器件等领域。法国研究机构Yole预测，到2023年，氮化镓射频器件的市场规模将达到13亿美元，复合增速为22.9%。
②小米WiFi6路由器：WiFi 6 或实现快速渗透，应用前景广阔
像VR 视频/直播引入家庭、远程教学、智慧家庭 IoT、实时类游戏等；
如果苹果、小米、三星等终端大厂支持 WiFi 6大幅跟进，实现 WiFi 6 快速渗透。WiFi 6 普及下，路由器跟进，或迎来换机潮。
③采用6.67英寸AMOLED超小挖孔曲面屏，柔性屏工艺。主要是TCL科技旗下华星光电生产供货；
另外还有对称式立体声系统，主要是受益的是歌尔股份。
题材君认为周五的盘面氮化镓概念股和WiFi路由器已经有所发酵，关于氮化镓概念股、WiFi6路由器受益标的全面梳理一下：

氮化镓概念股：
1、海陆重工：参股的江苏能华微电子一家专业设计、研发，生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高科技公司，具备一流的生产制作工艺。
2、云南锗业：控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司目前已建成砷化镓单晶及晶体产业化生产线，正在建设5万片/年2英寸磷化铟单晶及晶片产业化建设项目，丰富其在半导体材料领域的产品。2017年公司及子公司共生产生产砷化镓单晶片28.54万片。
3、海特高新：公司2019年硅基氮化镓功率器件芯片已实现小批量量产，并向客户交货。公司客户包括国内外设计公司。
4、三安光电：子公司厦门市三安集成电路有限公司主要从事化合物半导体集成电路业务，涵盖PA射频，电力电子，光通讯和滤波器等领域的芯片，已布局完成6寸的GaAs（砷化镓）和GaN（氮化镓）部分产线。
5、乾照光电：是国内最大的能够批量生产砷化镓太阳能电池外延片的企业，同时还着力研发生产世界最尖端的高性能砷化镓太阳能电池，填补了该领域的国内空白，是国内仅有的几家初步具备外延片和芯片工业化生产能力的企业。
6、富满电子：公司充电器主控芯片，与oppo合作研发过GaN的充电器；
7、有研新材：公司是砷化镓，都属于化合物半导体，公司为国内靶材等半导体材料的龙头企业之一，也是国内水平砷化镓最大的供应商；
8、闻泰科技：公司车载GaN已经量产，全球优质的氮化镓供应商之一；
9、耐威科技：持续性研发氮化镓器件，公司氮化镓外延片已有少量销售；
10、南大光电：公司的高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项。高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能电池的重要原材料；
11、和而泰：子公司铖昌科技的芯片产品涵盖的是氮化镓、砷化镓等，技术很成熟，已经在出货；
12、士兰微：公司4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线
13、瑞芯微：公司主要从事集成电路的设计与研发，是中国极具创新和务实的集成电路设计公司，为手机快充等多个领域提供专业芯片解决方案
14、聚灿光电：主要产品为GaN（氮化镓）基高亮度蓝光LED芯片及外延片。
WiFi6路由器概念股：
1、紫光股份：旗下的新华三、星网锐捷(39.18-2.05%，诊股)旗下的锐捷网络在国内WLAN设备市场份额排名居前;
2、天邑股份：正在拓展5G微基站、IPTV机顶盒、WiFi6AP等新产品。
共进股份： 公司主要产品包括DSL终端系列、光接入终端系列、无线(WiFi)及移动(3G、LTE)终端系列和其它宽带通讯终端系列(PLC终端和EoC终端等)。公司DSL终端和光接入终端每年的产销量均超过1000万台，在行业内处于领先地位。
3、卓翼科技：公司3C包括网络通讯类的如无线网卡、数据卡、光纤接入设备、4G路由器、4G LTE网关、IPTV机顶盒、以太网交换机等；
4、星网锐捷：公司是国内主流网络及通信终端产品提供商，为用户提供定制的一体化解决方案。
另外还有创维数字、博通集成、乐鑫科技等！
温馨提示：
文中内容仅为题材君的个人观点，所展示、提及到的思路策略、板块分析，仅供参考，不构成任何实际操作建议，股市有风险，投资需谨慎！

一：氮化镓逻辑

2月13日，小米集团召开小米10新品直播发布会，小米发布了新款手机小米10 Pro，同时更引人关注的是发布了65W氮化镓的充电器，体积是标配的一半大小，售价149元。

不仅发布了小米10系列旗舰手机，还一同发布了两款小米10系列的最佳搭档产品：小米GaN充电器Type-C 65W和小米无线充蓝牙音箱。携带更方便，搭配小米10 Pro可提供最高50W充电功率，45分钟即可充入100％

氮化镓充电器的优点
（1）体积小，不到普通充电器的一半大小。
（2）充电效率提高，比普通充电器充电节约至少50%时间。

二、氮化镓材料特性
GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。

GaN氮化镓具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景（以上引自百度百科）。

GaN氮化镓是一种广为看好的新型半导体材料，具有超强的导热效率、耐高温和耐酸碱等优点，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。氮化镓和碳化硅，是继第一代硅/锗、第二代砷化镓/锑化铟之后的第三代半导体材料。

三、氮化镓的应用
目前随着技术的进步、成本的降低，氮化镓已经逐渐应用于高精尖领域。

1、5G射频领域：由于5G对射频功率、耗能要求的提升，5G射频领域将逐渐用氮化镓取代硅基材料。并且在国防应用上，氮化镓已经大量运用于相控阵雷达、电子对抗战、精确制导等场景。

2、电动汽车、光伏等功率半导体领域：目前电动汽车、光伏、智能电网等领域使用的IGBT是硅基材料，如果未来氮化镓技术继续取得突破，进一步渗透进IGBT半导体领域，那么市场前景一片大好。

四、氮化镓概念相关个股
注：红色标记的个股为周五涨停个股； 
  

2020年2月13日下午，小米通过线上直播发布会的形式，面向百万观众，正式发布了小米10系列手机以及部分配件产品。其中，小米65W氮化镓充电器成为本次发布会的一大亮点，据小米首席执行官雷军介绍，该款充电器具有小巧、高效、发热低等特点，并且支持小米10疾速快充，从0充电至100%仅需45分钟。搭配小米10 Pro可实现50W快充，还可为笔记本充电，售价149元，2月18日开卖。


  小米就此成为了第一家将氮化镓USB PD快充单独零售的手机企业，并且149元的零售价更是创下行业新低，引发行业人士高度关注。

  小米GaN急速充电器，应用半导体第三代材料氮化镓GaN技术。
  氮化镓概念股爆发……

氮化镓
氮化镓（GaN、Gallium nitride）是氮和镓的化合物，是一种直接能隙*的半导体，在大气压力下，GaN 晶体一般呈六方纤锌矿结构，它在一个元胞中有 4 个原子，原子体积大约为 GaAs 的 1/2；其化学性质稳定，常温下不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解；在 HCl 或 H2 下高温中呈现不稳定特性，而在 N2 下最为稳定。GaN 材料具有良好的电学特性，宽带隙(3.39 eV)、高击穿电压(3×106 V/cm)、高电子迁移率(室温 1 000 cm2/V·s)、高异质结面电荷密度(1×1013 cm-2)等，因而被认为是研究短波长光电子器件以及高温高频大功率器件的最优选材料，相对于硅、砷化镓、锗甚至碳化硅器件，GaN 器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作。另外，氮化镓器件可以在 1~110GHz 范围的高频波段应用，这覆盖了移动通信、无线网络、点到点和点到多点微波通信、雷达应用等波段。近年来，以 GaN 为代表的Ⅲ族氮化物因在光电子领域和微波器件方面的应用前景而受到广泛的关注。

***云南锗业：控股子公司云南鑫耀半导体材料有限公司目前已建成砷化镓单晶及晶体产业化生产线，正在建设5万片/年2英寸磷化铟单晶及晶片产业化建设项目，丰富其在半导体材料领域的产品。2017年公司及子公司共生产生产砷化镓单晶片28.54万片。

亚光科技 氮化镓 2市最有核心技术多渠道布局的已经产业化 
  

亚光科技 ： 氮化镓、砷化镓等材料芯片 90%以上为自主设计及封测，在专业 Foundry 厂家流片，封装测试在我厂后道生产线完成。目前已批量生产的芯片有 400 多款与西电合作取得突破，中国5G芯片关键材料氮化镓获突破，处于国际领先水平。亚光科技：5G通信的毫米波功率放大器已研制成功并小批量产;砷化镓/氮化镓射频芯片关键技术在芯片制造领域与三安光电 深度进行合作,打造完整的新型半导体 射频芯片产业链。公司已具有全流程硅基芯片生产线，工艺自主可控，生产的微波二 极管是除 XX 所外唯一的军用微波二极管生产厂家，产品可直接替代 MA/COM、 MicroMetrics 等公司产品。

2.10日国家队汇金领队123家机构调研，亚光科技 董秘在调研说：公司在军工、芯片等细分板块领域都是有实在业绩支撑的领头企业，让公司市值配得上公司的业绩是自已的一个目标（市值300亿 ）。2.13日再次50几家机构专题调研氮化镓和卫星微波芯片 堪称史上最强的调研.

从西安电子科技大学芜湖研究院获悉，作为芜湖大院大所合作的重点项目，国产化5G通信芯片用最新一代碳化硅衬底氮化镓材料试制成功，打破国外垄断。这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片，有望用上国产材料。碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料，也是发展第三代半导体产业的关键基础材料。亚光科技披露，其与西安电子科技大学在合作研制第三代半导体项目。