中国芯，中国造。

芯片行业中又分了很多细分领域，涉及相关的上市公司不少，这么多公司中如何去挖掘未来几年可能成为的大牛股呢？

  有几个观点参考：

  1、行业龙头企业，这类企业在行业发展以及一些标准制定等都有一定的话语权，并且公司拥有强大的人力财力物力，因此在行业快速发展中往往能够提前抓住机遇。

 2、成长性小公司，这类公司一般都是上市时间不久，但是公司的优势在于专注某个领域，但这个领域还是未来的蓝海市场，一旦攻破之后，那么这种小型成长性的公司就有望迎来大爆发。

  以上2点是作为选择未来芯片板块走出大牛股的两个观点。当然还有其他的因素，比如公司管理层的眼光跟格局，公司的企业文化，公司的资本运作能力等等。

 另外还有一个重要因素就是芯片行业的政策方向，因为当下国家政策对芯片行业发展的支持力度是史无前例的强大，也正是因为政策如此的支持芯片行业发展，才开此贴讨论芯片板块未来的大牛股。但是如果后面国家对芯片行业发展的政策有变化，那么就要另当别论。不过这种几率应该是很低的，只是做个提前提醒，万一出现了也可以从容淡定面对。

在今天开幕的201 9世界制造业大会上，专注内存研发生产的合肥长鑫公司宣布总投资1500亿元的合肥长鑫内存芯片自主制造项目投产，将生产国产第一代10nm级8Gb DDR4内存。
根据合肥长鑫存储董事长兼首席执行官朱一明介绍，该项目以打造设计和制造一体化的内存芯片国产化制造基地为目标，2016年5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分存储器国产领军企业兆易创新共同出资组建，是安徽省单体投资最大的工业项目。
朱一明表示，“投产的8Gb DDR4通过了多个国内外大客户的验证，今年底正式交付，另有一款供移动终端使用的低功耗产品也即将投产。”
对于此前外界最为关心的良率问题，合肥长鑫没有公布具体的数据，但是宣称其10nm级内存已经获得工信部旗下检测机构中国电子技术标准化研究院的量产良率检测报告。
在昨天的中国闪存技术峰会上，合肥长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士发表了主题演讲，指出合肥长鑫已将奇梦达的46nm内存工艺技术水平提升到了10nm级别。
在我国去年进口的3000多亿美元的芯片中， DRAM 内存芯片占比最高，占到了20%以上。 

在9月19日开幕的中国闪存技术峰会，合肥长鑫存储副总裁、未来技术评估实验室负责人平尔萱博士发表了主题演讲，指出合肥长鑫已将奇梦达的46nm内存工艺技术水平提升到了10nm级别。
在这个名为《DRAM技术趋势与行业应用》的演讲中，平尔萱博士谈到了内存技术的发展、应用以及面临的技术挑战等问题，其中也涉及到了长鑫的内存技术来源及改进。
长鑫的技术来源已经不是秘密，此前在GSA+Memory存储峰会上，长鑫存储的董事长兼CEO朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲，提到了长鑫的DRAM内存技术来源，主要就是已破产的奇梦达公司，获得了一千多万份有关DRAM的技术文件及2.8TB数据，在此基础上改进、研发自主产权的内存芯片，耗资超过25亿美元。
奇梦达已经破产多年，他们的内存技术实际上停留在了前几代的水平，平尔萱博士称长鑫已经借助先进的设备将奇梦达46nm工艺水平的内存芯片推进到了10nm级别。
不过公开报道中没有说明平尔萱博士所说的10nm级别到底是什么水平，理论上20nm之后的都可以叫做10nm级，但三星是在20nm、18nm之后发展了1Xnm、1Ynm、1Znm，从1Xnm工艺才开始称作10nm级内存。
结合之前的报道，长鑫公司今年底会量产19nm工艺、8Gb核心的DDR4内存芯片，不知道这个内存是否就是平尔萱博士所说的10nm级内存。
不论是19nm还是其他工艺的内存，总体来说国内公司如果能在年底量产10nm级别的内存，起点还是非常高的，与国际先进水平的差距也就2-3年的样子，这个水平相比其他芯片的差距就小太多了。