根据招股书披露，锦州神工主营业务为半导体级单晶硅材料的研发、生产和销售，主要产品为大尺寸高纯度半导体级单晶硅材料，是业界领先的半导体级单晶硅材料供应商。半导体级单晶硅材料指纯度达到9至11个9（99.9999999%-99.999999999%）的单晶硅材料，是集成电路制造的基础材料。公司产品目前主要应用于加工制成半导体级单晶硅部件，半导体级单晶硅部件是晶圆制造刻蚀环节所必需的核心耗材。
锦州神工生产的半导体级单晶硅材料尺寸范围覆盖 8 英寸至 19 英寸，其中 14 英寸以上产品占比超过 90%，主要产品形态包括硅棒、硅筒、硅环和硅盘。
乍一看，锦州神工似乎芯片制造使用的硅片材料的供应商，提供晶圆制造使用的硅片。但是细细品读一下那几个语焉不详的词语，咂摸出一点不一样的味道来。”半导体级“单晶硅材料，是晶圆制造”刻蚀环节“的核心耗材。不是“半导体硅片”，而晶圆制造中光刻、刻蚀、薄膜沉积等都是核心必经环节，锦州神工的硅片却仅仅是刻蚀环节的核心耗材。
招股书将半导体级单晶硅材料分为芯片用单晶硅材料和刻蚀用单晶硅材料，很明显这个“刻蚀用”并非指的是芯片制造的刻蚀环节，这并非用于用于晶圆制造的半导体硅片。
从图上可以看见，锦州神工产品应用于加工制成刻蚀用单晶硅部件，主要是制造成硅电极（刻蚀机的零件），终端是刻蚀机制造商，并非制造芯片的主要材料。一言以蔽之，锦州神工是刻蚀机制造材料的供应商。
弄清楚了核心产品和主营业务，我们才能中立地评估一家企业的风险。
行业天花板几何？
锦州神工生产并销售刻蚀机制造材料之单晶硅材料（主要是用作硅电极制造）的供应商。这个品类的下游客户和产品要求都与半导体硅片相差甚大，因此不能用半导体硅片市场的市场空间和市场增速来衡量。
招股书给出数据：“从刻蚀用单晶硅材料细分行业来看，经公司调研估算，目前全球刻蚀用单晶硅材料市场规模约1,500吨-1,800 吨，公司2018 年市场占有率约 13%-15%。”而锦州神工的2018年的营业收入为28,253.57万元，净利润为10,657.60万元。按照2018年，公司市占率为15%的数据统计，2018年全球市场约为15.7亿人民币，一个规模不到二十亿元的市场，市场规模非常小，行业天花板明显。
但是，值得注意的是，行业天花板明显，不代表这个细分行业没有机会。刻蚀用单晶硅材料的是下游半导体刻蚀设备市场。刻蚀设备的增速在今年有望大幅提高。
这是由于当前普遍使用的浸没式光刻机受到波长限制，14 纳米及以下的逻辑器件微观结构的加工将通过等离子体刻蚀和薄膜沉积的工艺组合——多重模板效应来实现，使得刻蚀这一工艺的加工步骤增多，因此需要更多的刻蚀设备。根据SEMI的预测，刻蚀设备的市场的增速，将高于其他设备增速。而这将为包括在内的半导体刻蚀设备的上游带来较高的增长空间。
新的发展方向
招股书披露了一个很有趣的信息——募集资金用途。根据招股书，锦州神工本次发行募集资金（扣除发行费用后，拟全部用于以下募集资金投资项目。本募投项目建设完成并顺利达产后，公司将具备年产 180 万片 8 英寸半导体级硅单晶抛光片以及 36 万片半导体级硅单晶陪片的产能规模。
这个项目的目的是围绕着“8英寸半导体级单晶抛光片”，这个产品尽管与目前的主要产品名字听起来一样，但并不是“刻蚀用单晶硅材料”，而是晶圆制造用的硅片。这个新产品所需要的技术和设备，与公司现有的技术和设备的协同效应究竟有多大呢？
技术上，二者主要都是使用直拉法（简称 CZ 法），其特点是在一个封闭热场内，通过石墨加热器加热，在温度高达 1420°C 时将高纯度石英坩埚中的多晶硅熔化；随后，经过引晶、放大、转肩、等径生长、收尾等过程，得到单晶硅棒。
看起来似乎很相似，但其实存在很大的差距。
首先，所使用的设备上差异很大。芯片用单晶硅材料的尺寸为目前芯片用单晶硅材料主流尺寸为 6 英寸、8 英寸和 12 英寸。刻蚀用单晶硅材料晶体直径大于特定尺寸芯片用单晶硅片，目前主流晶体尺寸覆盖 13-19 英寸。这就注定了制造二者的单晶炉是不一样的。公司需要重新购买8英寸硅片制造的单晶炉。
再者，二者的技术要求是不一样的，芯片用硅片的技术水平要求高得多。芯片用单晶硅材料。对微缺陷率参数要求严格，需控制材料内部微缺陷率保持低水平甚至接近零方能满足后续工艺要求；芯片用单晶硅材料微缺陷率低于刻蚀用单晶硅材料；而刻蚀用单晶硅材料微缺陷率参数对后续工艺的重要性水平相对较低，相关指标达到一定标准后即可满足后续先进工艺要求。
芯片用硅片制造之难，也是我国半导体产业长期面临的问题。半导体硅片市场，长期被国外五大巨头垄断，全球市占率超过93%，从侧面可以反映出半导体硅片的技术壁垒有多高。
能否攻坚克难？
新产品和旧产品的协同作用并不那么明显。锦州神工能否凭借技术优势完成攻坚克难呢？
我们来评价一下锦州神工的技术水平
首先，是研发支出。财报中显示，无法区分研究阶段支出和开发阶段支出的，将发生的研发支出全部计入当期损益。即当期的研发费用即研发支持。从财报上看，研发费用及其占营业收入比例在下降，是因为其营收近三年大幅上涨。研发费用的绝对值在三年间翻了六番。尽管如此，锦州神工的研发费用还是少到惊人，研发费用才一千万元出头，占营收比仅3.86%。
再来看研发团队。截至2018 年 12 月 31 日，公司研发人员仅为 15 人，占公司总人数比例为 11.19%。但公司未披露员工学历结构。
其中核心技术人员为潘连胜、山田宪治、秦朗，其履历分别如下：
潘连胜先生，1964 年 5 月出生，中国国籍，具有日本永久居留权，北京航空学院飞机设计专业工学学士，哈尔滨工业大学金属材料专业工学硕士，日本早稻田大学材料科学专业工学博士；1988 年至 1993 年任航天部第三研究院设计程师，1993 年至 1994 年获航天部公派赴日本东京三和工机株式会社任设计工程师，1994 年至 1998 年在日本早稻田大学就读，1998 年至 2007 年历任日本东芝陶瓷株式会社研究员、销售经理，2007 年至 2008 年任科跋凌材料公司（Covalent Materials Corporation）销售经理，2008 年至 2013 年任科跋凌（上海）贸易有限公司第一分公司总经理；2013 年 7 月创立神工有限，任副董事长、总经理；自2015 年起任神工有限董事长、总经理，2018 年 9 月至今任公司董事长、总经理。
山田宪治先生，1962 年 12 月出生，日本国籍，日本山口大学工学硕士；1987年至 2012 年先后于日铁电子株式会社、世创日本株式会社任职，2012 年至 2016年在日本神工新技株式会社工作，2016 年 9 月起在神工有限工作，现任公司技术研发部部长。
秦朗先生，1983 年 9 月出生，中国国籍，无境外永久居留权，大连理工大学工学硕士；2006 年至 2007 年任浙江天煌科技有限公司技术专员，2007 年至2009 年任大连维德集成电路有限公司工程师，2009 年至 2013 年任锦州阳光能源有限公司技术主管；2013 年 7 月起在神工有限工作，现任公司技术研发部科长。
值得注意的是，这几位核心人员，并未有五大芯片用单晶硅供应商工作的经历。
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