12月10日揭幕的2018中国国际应用科技交易博览会上，国产5G通信基站GaN（氮化镓）功率放大器芯片，在中国发明成果转化研究院展区对外亮相。该研究院有关负责人透露，GaN芯片已完成多款产品设计，并已获得中电集团客户认证成功，计划2019年正式推出，将可全面满足中国5G通信基站对射频功率放大器的需求。12月13日受消息刺激，海特高新巨量封板。
名词解释：氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。氮化镓是第三代半导体的代表，它是节能照明、激光投影显示、智能电网、新能源 汽车、5G通信等产业的核心基础材料，预计到2020年将形成万亿美元以上的市场规模。
应用领域：
先科普氮化镓是什么？
这个名词大家一定是耳熟能详的。LED，LED的有效成分即氮化镓，本身是发蓝光，需要配合荧光剂变成白光。
氮化镓可用微波电路，高速开关电路和红外线电路。
但既然LED早已成熟，半导体这个技术为何是未来的新材料呢？
答案是目前的通讯技术上已经有非常成熟的产业链。除非行业变革，否则并不需要用更加昂贵的材料。
氮化镓比硅基器件贵，但是论系统整体成本，氮化镓与硅基器件的成本差距已经非常小，在大规模量产后可实现比硅器件更高性能与更低成本。
以上看懂了，就知道5G时代为何会是氮化镓的时代。
更新的技术，才需要更强的产品做技术换代，同时推动市场量产来降低成本。
而在3G4G时代，风口未到。
射频氮化镓技术是5G的绝配，低功耗、小尺寸且成本优势明显。
如今氮化镓被定位成涵盖了从无线基站到射频能量等商业射频领域的主流应用，它从一项高深的技术发展为市场的中流砥柱，这一发展历程融合了多种因素。随着硅基氮化镓技术的深入研究，我们逐渐发现了一条完全不同的道路，甚至可以说是颠覆性的半导体技术。
这个行业领域的大佬，华人科学家很多。有兴趣可以搜索相关的内容看看。
国内产业化也在飞速发展。
珠海英诺赛科8英寸硅基氮化镓电力电子器件量产线在珠海正式通线。这是国内乃至世界首条8英寸硅基氮化镓量产线。
可以说在这个
材料行业 ，中国一开始就跑在了前面。这个和华为在5G技术上领先是很类似的。
行业公司也很容易在网络上找到资料：
就简单聊一下亚洲地区的。北美和欧洲的进度其实不如亚洲厂商。
国内这3家上市公司，可以重点关注。
最后总结：
氮化镓作为新的材料，是5G时代的最大受益者之一。
不止射频电路这一个应用，未来5G全行业上下游都可能采用这个新材料。
未来市场巨大。
相关受益标的：海特高新（
002023 ）旗下的海威华芯建立了国内第一条6英寸砷化镓/氮化镓半导体晶圆生产线，规划总投资20亿元加码产业化。
海陆重工（
002255 ）贵司持有江苏能
华微电子 科技发展有限公司10.23%的股份，属可供出售金融资产.
套牛骑手
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