中国研制出 22 纳米芯片制造技术

2018年11月29日 20时55分

中国研制出 22 纳米芯片制造技术官媒报道，国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中科院光电所研制，光刻分辨力达到 22 纳米，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造 10 纳米级别的芯片。报道称，项目在原理上突破分辨力衍射极限，建立了一条高分辨、大面积的纳米光刻装备研发新路线，绕过国外相关知识产权壁垒。光刻机是制造芯片的核心装备，它采用类似照片冲印的技术，把母版上的精细图形通过曝光转移至硅片上，一般来说，光刻分辨力越高，加工的芯片集成度也就越高。但传统光刻技术由于受到光学衍射效应的影响，分辨力进一步提高受到很大限制。为获得更高分辨力，传统上采用缩短光波、增加成像系统数值孔径等技术路径来改进光刻机，但技术难度极高，装备成本也极高。

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