海威华芯主要产品应用于5G，雷达，新能源、物联网等领域

前不久，国内相关单位公开展出了氮化镓微波器件（GAN芯片 ），它具备功率大、环境适应性好等优点，可以用于雷达 、电子战及通信系统 等多种环境。

目前中国海军正在设计、建造的055型驱逐舰，它配备的有源相控阵雷达可能将配备GAN器件，这样055型驱逐舰将会拥有当今最具威力的舰载雷达。

中国歼-20的机载有源相控阵雷达已经研制成功,为歼-20形成作战能力迈出了关键的一步。

氮化镓（GAN芯片）是有源控阵雷达必备，美国人能卖吗。

海特高新 航空wifi+芯片 +军民融合 
海特高新引领时代
  海特高新是目前国内唯一一家“综合航空技术服务提供商”上市公司：未来航空制造、维修、培训、金融租赁 业务齐发展，高端芯片业务进一步打开成长空间，未来受益于军民融合、信息安全、通用航空 。 芯片业务：集成电路 高端芯片制造业务有望逐步盈利。
  芯片项目面向雷达 、5G 等，战略意义重大。海威华芯为公司控股子公司，主要从事第二代/第三代化合物半导体集成电路芯片 的研制，产品主要面向5G、雷达、新能源、物联网等高端芯片市场。
  芯片业务：融入国家信息安全发展战略，混合所有制改革典范。海威华芯是公司和成都四威电子有限公司（中电科29所旗下）共同打造的第二代/第三代化合物半导体集成电路领域的开放平台，为公司响应“国家混合所有制改革”战略融入国家信息安全发展的重大举措。
  芯片是智能时代的核心物件，无论是手机还是电脑或者是其他高端智能产品，芯片应用至关重要。当前海 特高新具备很强的优势，特别是与中国航空航天 部门的合作，未来将会带来巨大的效益。

海威华芯的未来市场占有空间巨大，主营业务为高端化合物半导体 集成电路 及器件的制造，项目建成投产之后，将拉动上下游千亿人民币以上的产业规模


  国内首家提供六英吋砷化镓 /氮化镓微波集成电路(GaAs/GaN MMIC)的纯晶圆代工(FOUNDRY)服务公司。

  海威华芯专注于提供全面的GaAs PHEMT、HBT和GaN HEMT集成电路制程。

  填补国内空白，打破了国外对中国高端射频芯片 的封锁，成为国家高端芯片供应安全的重要保障。

  四川海特高新技术股份有限公司（以下简称“公司”）控股子公司成都海威
  华芯科技有限公司（以下简称“海威华芯”）第一条 6 吋第二代/第三代化合物半
  导体集成电路生产线贯通，该生产线同时具有砷化镓、氮化镓以及相关高端光电
  产品的生产能力。海威华芯砷化镓 0.25 微米的功放电路生产工艺和砷化镓无源
  集成电路生产工艺的技术指标已达到国外同行业先进水平。
  海威华芯是公司和成都四威电子有限公司共同打造的集工艺开发、器件模型、
  产品生产制造于一体的第二代/第三代化合物半导体集成电路领域的开放平台。
  控股海威华芯是公司融入国家信息安全战略发展的重大举措，是混合所有制 改革
  典范。
  公司将继续推动海威华芯发展，积极做好项目规划、工程建设、技术创新及
  市场开拓等工作，实现海威华芯产品下线上市，达成公司战略目标。

2015 年公司投资成都海威华芯科技有限公司，其产品主要面向5G、光伏  、雷达等高端芯片市场。2015 年1 月公司投资5.5 亿元受让海威华芯资产并对其增资，交易完成后，成为公司的控股子公司。海威华芯主要从事第二代/第三代化合物半导体集成电路芯片的研制，发展潜力巨大，经过有效优化和整合，其可升级为集工艺开发、器件研制、产品生产制造、系统应用开发于一体的我国化合物半导体领域的开放平台，该项目填补了国内市场空白。

  公司联手四威电子（中电科29 所旗下）合作打造微电子  平台，涉足高端芯片制造领域，控股海威华芯是公司融入国家信息安全战略发展的重大举措，是混合所有制  改革典范。

  海威华芯建设6 寸GaAs 0.15m p-HEMT/HBT 和GaNHEMT(含SiC)两条生产线，填补国内6 寸Ⅲ-Ⅴ族集成电路制造的空白，为完成新一代电子产品的研制与生产提供能力；建成大陆首条第二代/第三代半导体集成电路芯片Foundry 线。2015 年，一期基础设施建设  、设备安装等工作基本完成；关键技术、管理人才已陆续到位，已经形成核心团队；工艺技术路演已完成并进入实战阶段，已取得专利58 项。海威华芯拥有自主核心知识产权，本项目获得国家、省政府的高度关注和支持，目前该项目已经获得国家、四川省多项专项扶持资金。公司投资海威华芯符合公司发展战略规划，为公司未来发展拓展新的市场空间。

  海特高新已与中电科29 所签署了《战略合作意向书》，公司和中电科29 所将就航空机载及检测设备开展联合立项、研制、联合生产等合作。双方将优先与对方开展深度合作。

  中电科29 所是我国最早建立、专业从事电子战技术研究、装备  型号研制和生产的国家一类系统工程研究所，多年来一直承担着国家重点工程、国家重大基础、国家重大安全等工程任务，能够设计开发和生产陆、海、空、天、弹等各种平台的电子信息  系统装备。

  根据资料，我们了解到成都海威华芯产品主要面向5G、光伏、雷达等高端芯片市场。6寸第二代/第三代半导体集成电路芯片可用于微波毫米波频段尖端电子装备、军事应用和电机  驱动器的高功率电子应用、无线通信  基站、高频卫星通信、智能手机  及无线通信等。

海特高新是目前国内唯一的一家“综合航空技术服务提供商” 上市公司, 未来航空制造、维修、培训、金融租赁  业务齐发展，高端芯片业务进一步打开成长空间，未来受益于军民融合、信息安全、通用航空  。 
根据公司公告，海威华芯第一条6 寸第二代/第三代化合物半导体集成电路生产线同时具有砷化镓  、氮化镓以及相关高端光电产品的生产能力。海威华芯砷化镓0.25 微米的功放电路生产工艺和砷化镓无源集成电路生产工艺的技术指标已达到国外同行业先进水平。

  据介绍，化合物半导体砷化镓、氮化镓芯片是半导体技术中的明珠，主要用于移动通讯  、光通信  、雷达  、卫星通讯、电力电子、新能源等领域，是实现高频率、高效率及低噪声的射频核心芯片，也是进行高频光纤  通信、高频大功率电力转换不可或缺的芯片。全球化合物半导体产业目前最大尺寸就是6 寸生产线，海威华芯的6 寸化合物半导体生产线，是世界上化合物半导体领域最先进的生产线之一。

目前，我国高端芯片 特别是军用芯片几乎100%依赖进口，未来国家计划高端芯片国产化率达85%~100%，海威华芯生产直径6吋，线宽150~250nm晶圆属于国际最先进水平，未来国内军民市场进口替代大。

  此外，海特高新表示，海威华芯主要从事第二代/第三代化合物半导体集成电路 芯片的研制，可升级为集工艺开发、产品生产制造、系统应用开发于一体的化合物半导体领域的开放平台，该项目填补了国内市场空白，其产品主要面向5G 、光伏、雷达等高端芯片市场。

海威华芯打破海外半导体  代工垄断，项目产业化值得期待。全球第二代/第三代半导体 市场空间近百亿美元，中国市场占据近半份额，制造环节95%依靠国外foundry 厂商。海威华芯建立了国内第一条6 英寸砷化镓  /氮化镓半导体晶圆生产线，2016 年9 月产出国内第一个GaAs 0.25um power pHEMT 工艺的芯片 设计包PDK，根据公司半年报  披露，海威华芯的IPD 和PPA25 已经完成产品可靠性验证并处于提升产线良率阶段，民用产品已经与国内某知名厂商展开合作，军品市场面已与某所某多功能芯片项目完成技术协议细则。

中国化合物半导体  产业有望在5G  上实现突破


  化合物半导体相比硅半导体具有高频率、大功率等优异性能，是未来5G通信不可替代的核心技术，将在5G通信中大量使用。
  当前GaAs/GaN化合物半导体射频器件已在4G  通信、有源相控阵雷达  、卫星通信等领域得到应用。然而现有市场主要由日本、美国、欧洲的化合物半导体企业把控，并已建立市场和技术壁垒，形成产业链合作惯性。中国企业进入市场较晚，很难有足够的话语权。5G通信最快将在2020年实现商用，中国是全球最大的5G市场，并开始拥有全球5G通信发展的话语权。加之中国具有一定技术积累和产业基础，中国化合物半导体产业有望在5G通信市场实现突破。
  性能优异的化合物半导体将在5G通信中大量使用
  5G智能手机  将大量使用GaAs射频器件。GaAs射频功率放大器具有比Si器件更高的工作频率。随着移动通信频率不断提高，Si器件已不能满足性能要求，4G智能手机中的功率放大器已全部采用GaAs技术。未来5G通信将包括6 GHz以上频段，性能优越的GaAs器件将不可替代。5G通信支持的通信频段将大幅增加至50个以上，远大于4G通信的频段数(不超过20个)。每多支持1个频段就需要增加1个放大器(或大幅提高器件复杂程度)，使得单部手机中GaAs器件成本大幅增加。赛迪智库预计2020年GaAs器件市场将达到130亿美元。
  5G通信基站  亟需更高性能的GaN射频器件。GaN射频功率放大器兼具Si器件的大功率和GaAs器件的高频率特点。为了应对2.4 GHz以上频段Si器件工作效率快速下降的问题，4G通信基站开始使用GaN功率放大器。目前约10%的基站采用GaN技术，占GaN射频器件市场的50%以上。未来5G通信频率最高可达85 GHz，是GaN发挥优势的频段，使得GaN成为5G核心技术。全球每年新建约150万座基站，未来5G网络还将补充覆盖区域更小、分布更加密集的微基站，对GaN器件的需求量将大幅增加。赛迪智库预计2020年GaN射频器件市场将超过6亿美元。
  发达国家已完成化合物半导体的战略布局。由于化合物半导体具备优异的性能和广阔的应用前景，美国和欧洲在21世纪初已开始布局，发布技术和产业扶持计划，并培育了一批龙头企业，已占领技术和市场的高地，为5G通信发展奠定了基础。美国国防  部先进研究项目局(DARPA  )从2002年起先后发布宽禁带化合物半导体技术创新计划(WBGSTI计划)和下一代GaN电子器件计划(NEXT计划)，帮助美国本土的Qorvo、Cree等化合物半导体企业迅速成长为行业龙头。欧洲防务局(EDA)于2010年发布旨在保障欧洲区域内化合物半导体供应链  安全的MANGA计划，已完成预期目标。
  国际巨头占据化合物半导体射频器件市场主导地位。4G智能手机用的GaAs射频放大器市场中，美国Skyworks、Qorvo和Broadcom三家公司的市场占有率接近90%。GaN基站市场集中于日本住友电工、美国Cree和Qorvo三家企业手中。制造成熟度方面，Qorvo公司自2008年至今已出货260万件GaN器件产品，其中17万件应用于雷达领域。Cree公司于2014年初宣布其GaN射频器件累计销售量已超过100万件。
  Qorvo和Raytheon公司的GaN产品已分别达到美国国防部的制造成熟度评估(MRL)第9级和第8级。第9级意味着GaN器件的制造工艺已满足最佳性能、成本和容量的目标要求，准备开始全速率生产。

  国际对中国实行核心技术封锁，产业链面临制裁禁运风险。一是化合物半导体的军事用途使得美国频繁阻挠国内产业崛起。化合物半导体是有源相控阵雷达、毫米波通信、军用卫星、激光 武器 等军事装备  的核心组件，受到国际《瓦森纳安排》的出口管制。中国资本 试图收购国外优秀化合物半导体企业以快速获取人才和技术，却频频遭遇美国政府阻碍。2015年以来，金沙江公司收购美国Lumileds、三安光电 收购美国GCS、福建宏芯基金收购德国Aixtron均被美国以危害国家安全  为由予以否决。二是国内5G通信整机企业面临制裁风险。国内化合物半导体产品尚不成熟，使得整机企业大量进口国外器件，供应链安全存在很大隐患。2016年3月，美国商务部以违反美国出口管制法规为由制裁中兴通 讯，对企业造成了几近毁灭性打击。基于化合物半导体的功率放大器、光通信  芯片  等均在限制目录中。2017年3月，中兴以近12亿美元的罚款与美国政府和解，方才化解危机。

  中国化合物半导体市场巨大、基础良好、产业活跃

  中国开始拥有全球5G通信发展的话语权，为化合物半导体提供广阔市场。中国是全球移动通信的重要市场，华为  、中兴是全球第二大和第四大通信基站供应商，华为、OPPO、vivo是全球前五大智能手机企业。中国已建成全球最大的4G网络  ，基站数量超过200万，用户数量突破5亿。自主品牌智能手机每年出货量近5亿部。Skyworks、Qorvo等化合物半导体企业在中国的销售额均占公司总销售额的60%以上。
  2013年，中国成立IMT-2020(5G)推进组，力争成为全球5G标准制定的领导者。中国推动的极化码方案(Polar Code)被国际通信标准组织3G  PP采纳为5G控制信道编码方案之一。
  国内具备一定的化合物半导体制造技术储备和产业基础。一是高校  和研究机构正加速技术的产业化。中科院  、北京大学、中电科13所、29所、55所等在化合物半导体领域具备较强实力，依托军工  等市场积累了技术和人才，通过技术转化和合作成立了中科晶电、海威华芯等企业。二是LED  芯片与化合物半导体制造流程相似，提供了产业基础。LED是基于化合物半导体的光电器件，在衬底、外延和器件环节具有技术互通性。中国LED芯片  产业在全球占据重要地位，产业配套较成熟，可支撑化合物半导体产业发展。国家集成电路  产业投资基金已入股LED芯片龙头企业三安光电公司，投资新建化合物半导体生产线，规划产能为36万片/年。

  国内GaAs设计企业不断涌现，正积极研发4G产品。国内目前拥有各类手机功率放大器(PA)设计企业近20家，汉天下、紫光展锐、唯捷创芯等企业发展迅速，出货量位列前茅，已经在2G和3G手机  PA市场占据重要市场地位。在全球2G市场，汉天下已占据64%的市场份额。在全球3G市场，汉天下占据42%。国内设计企业正在积极研发4G PA产品。紫光展锐的4G PA已于2016年12月通过高通 公司的平台认证。汉天下的4G PA已实现5-10家客户量产出货，可实现三模和五模覆盖，月出货量超过100万套。广州智慧微电子  公司、深圳国民飞骧科技有限公司、唯捷创芯公司均已在GaAs基4G PA技术上实现突破。大陆设计企业目前主要选择在台湾稳懋等代工厂制造，随着三安集成公司和海威华芯公司已建成GaAs器件生产线填补大陆代工制造空白，未来大陆GaAs设计企业将更倾向于委托大陆代工厂制造，共同提升在国际市场的竞争力。

海特进军机载wifi市场 联通航  美公司揭牌成立

  2017-04-26 10:24:27 企业网站触屏  版 阅读 293
  4月25日，海特高新 参股投资公司-联通航美网络有限公司在北京正式举办机载通 信产品发布会暨联通航美揭牌仪式。海特高新董事长李飚与联通宽带  在线有限公司董事长马彦、航美在线董事长郭曼一同为“联通航美”揭牌，隆重宣布联通航美网络有限公司正式成立，中国航空出行Wi-Fi的市场化进程，将由此拉开帷幕！

  联通航美网络有限公司是海特高新与中国联通 、航美在线三方联合成立的专门从事航空机载通信业务的公司。旨在打造安全、可靠、顺畅、合规的天地海一体卫星网络及通信链路，致力于成为中国最大、亚太一流和具有世界影响力的航空 Wi-Fi 综合技术方案解决者和增值服务运营商。中国联通集团副总经理姜正新在发布会上表示，在工信部批复联通拓展机载通信业务航线的情况下，联通航美将专门为中国联通机载通信业务提供技术服务支撑。

  联通航美总经理郭曼表示，联通航美作为联通宽带在线的支撑单位，将尽最大努力做好产品集成、客服等工作，辅助联通宽带在线有限公司做好机载通信业务的日常运营，极大地优化航空旅客的出行体验。

  李飚董事长在致辞时表示，中国联通是国际国内领先的宽带通信和信息服务 提供商，航美公司是中国第一大航空媒体运营商，海特高新是国内领先的综合航空 技术服务提供商。三者均在各自领域具有优势地位，可以发挥三方在通信产业网络、广告信息渠道、工程技术能力上的强大优势，为广大航空乘旅客提供优质的机上信息消费  体验，并助推联通航美快速发展。

  海特高新是国内首家上市的航空制造和维修民营  企业，业务范围涵盖航空产品研制，航空整机、部附件维修、加改装，航空租赁  ，航空飞行、乘务、机务培训，集成电路  芯片  制造。海特高新入股联通航美，是海特高新基 于拓展航空产业链，以市场为导向的选择。

  多年来海特立足航空产业创新发展，紧跟产业发展的步伐和航空公司在工程技术上的需求，积累和形成了在工程技术服务上的优势和能力。海特高新的集成电路芯片  制造将在无线通讯领域为中国制造  提供“中国芯”，打破国外垄断，未来也会进一步提高通 讯效能，促进机载WiFi更加高效。海特高新投资建立的飞行模拟机研制企业ACCEL公司，将在虚拟现实  制造和服务领域为中国制造出世界顶级的飞行模拟机，未来也将为联通航美进一步拓展产品空间，为三方合作提供更大机会。海特未来将发挥多年在航空领域积累的工程和技术优势，助推联通航美发展。

海特高新（  002023  ）以市价溢价19.05%的价格完成定增 ，国华人寿、财通基金、长城资管等多家机构参与了此次定增。


  8月31日晚间，海特高新披露的非公开发行结果显示，已经以20元/股（编注：较市价溢价19.05%）的价格，完成非公开发行8282.02万股，募集资金总额为16.56亿元。

  值得一提的是，海特高新的发行价格为原发行底价10.50元/股（除权后）的190.48%，而最新股价为16.80元/股。

  公告显示，海特高新此次非公开发行股票发行对象及配售情况为：建信基金管理有限责任公司认购2.16亿元，宁波市星通投资管理有限公司认购1.68亿元，财通基金管理有限公司认购2.61亿元，上海再行物资有限公司认购3.34亿元，华宝信托有限责任公司认购1.81亿元，国华人寿保险股份有限公司认购2亿元，宝盈基金管理有限公司认购1.83亿元，中国长城资产管理公司认购1.14亿元。