以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体将迎大爆发？_耶稣之手

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以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体将迎大爆发？2021-01-05 09:49:26 来源：解放日报小大军事APP头条APP日前，阿里巴巴达摩院预测了2021年科技趋势，其中位列第一的是以氮化镓和碳化硅为代表的第三代半导体将迎来应用大爆发。第三代半导体与前两代有什么不同?为何这两年会成为爆发的节点?第三代半导体之后，什么材料会再领风骚?记者采访了专家。
禁带宽度，是用来区分不同代际半导体的关键参数。
作为第三代半导体，氮化镓和碳化硅的禁带宽度分别为3.39电子伏特和3.26电子伏特，较高的禁带宽度非常适合高压器件应用。氮化镓电子饱和速度高，是硅的2.5倍，是砷化镓的2倍，非常适合做微波器件，比如手机内的射频前端放大器、5G基站以及微波雷达。微波雷达并不限于应用在航天航空和国防领域，将来在新能源汽车自动驾驶里也有应用潜力，可利用它精确感知障碍物，指导自动驾驶数据及时调整。
此外，氮化镓还可用做功率开关器件，开关速度越快，电源转换系统就可以做得更小，功耗也能降低。手机充电器里就有功率开关器件，可以把220伏的交流电转化为5伏直流电，然后给手机充电。“现在受到欢迎的小型快速充电器，就用了氮化镓功率开关器件，未来还有望用于无线充电器。

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