9纳米线宽！我国光刻样机实现微纳器件三维光制造新突破

小北·2019-04-12·本土IC来源: 爱集微集微网消息（文/小北）据科技日报报道，武汉光电国家研究中心甘棕松团队采用二束激光在自研的光刻胶上突破了光束衍射极限的限制，采用远场光学的办法，光刻出最小9纳米线宽的线段，实现了从超分辨成像到超衍射极限光刻制造的重大创新。
据悉，甘棕松团队利用的是光刻胶材料对不同波长光束能够产生不同的光化学反应，让自主研发的光刻胶在第一个波长的激光光束下产生固化，在第二个波长的激光光束下破坏固化。第二束光被调制为空心光（中心光强为0），并利用第二曙光与第一束光形成的重合光斑，作用于光刻胶。这样只有第二束光空心部分的光刻胶最终被固化，从而远场突破衍射极限。
该原理其实早在2013年就被甘棕松团队验证了，但却一直面临从原理验证样机到可商用化的工程样机的开发困难。
据科技日报报道，甘棕松团队克服了材料、软件、零部件国产化三大难题。开发了多类光刻胶、实现了样机系统关键零部件国产化，实现了微纳三维器件结构设计和制造软件一体化。甘棕松说，我们打破了三维微纳光制造的国外技术垄断，在这个领域，从材料、软件到光机电零部件，我们都将不再受制于人

双光束超衍射极限光刻系统目前主要应用于微纳器件的三维光制造，未来随着进一步提升设备性能，在解决制造速度等关键问题后，该技术将有望应用于集成电路制造。（校对/春夏）