5G重磅科技:小米正式发布氮化镓GaN急速充电器,能否催生半导体第三代材料应用新

20-02-15 14:52 25830次浏览
大阿牛
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5G时代又一大重磅产品亮相:

2020年2月13日下午,小米通过线上直播发布会的形式,面向百万观众,正式发布了小米10系列手机以及部分配件产品。其中,小米65W氮化镓充电器成为本次发布会的一大亮点,据小米首席执行官军介绍,该款充电器具有小巧、高效、发热低等特点,并且支持小米10疾速快充,从0充电至100%仅需45分钟。搭配小米10 Pro可实现50W快充,还可为笔记本充电,售价149元,2月18日开卖。

小米就此成为了第一家将氮化镓USB PD快充单独零售的手机企业,并且149元的零售价更是创下行业新低,引发行业人士高度关注。

小米GaN急速充电器,应用半导体第三代材料氮化镓GaN技术



小米GaN急速充电器,2大优势:

(1)充电时间快(仅仅47分钟充满)充电速度提高了3倍以上;

(2)充电器体积小,只有苹果 充电器体积的40%。



接下来,我们简要科普下半导体第三代材料氮化镓GaN有关知识,以及和5G的关系。

氮化镓的前世今生

氮化镓,分子式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,属于极稳定的化合物,自1990年起常用在发光二极管中。它的坚硬性好,还是高熔点材料,熔点约为1700℃,GaN具有高的电离度,在Ⅲ—Ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下,GaN晶体一般是六方纤锌矿结构

1998年中国十大科技成果之一是合成纳米氮化镓;

2014年3月,美国雷声公司氮化镓晶体管技术获得突破,首先完成了历史性X-波段GaN T/R模块的验证;

2015年1月,富士通和美国Transphorm在会津若松量产氮化镓功率器件;2015年3月,松下 和英飞凌达成共同开发氮化镓功率器件的协议;同月,东芝照明技术公司开发出在电源中应用氮化镓功率元件的卤素LED灯泡;

2016年2月,美国否决中资收购飞利浦 ,有无数人猜测是美帝在阻止中国掌握第三代LED氮化镓技术;

2016年3月,科巴姆公司与RFHIC公司将联合开发GaN大功率放大器模块。

GaN是第三代半导体材料,相比于第一代的硅(Si)以及第二代的砷化镓(GaAs)等,

GaN第三代半导体材料具备比较突出的优势特性:

(1)禁带宽度大、导热率高,GaN器件可在200℃以上的高温下工作,能够承载更高的能量密度,可靠性更高

(2)较大禁带宽度和绝缘破坏电场,使得器件导通电阻减少,有利与提升器件整体的能效

(3)电子饱和速度快,以及较高的载流子迁移率,可让器件高速地工作。

也就是说,利用GaN人们可以获得具有更大带宽、更高放大器增益、更高能效、尺寸更小的半导体器件。

5G带给GaN新机遇

5G 将带来半导体材料革命性的变化,因为对5G的严格要求不仅体现在宏观上带来基站密度致密化,还要求在器件级别上实现功率密度的增强。

特别是随着通讯频段向高频迁移,基站和通信设备需要支持高频性能的射频器件。虽然许多其它化合物半导体和工艺也将在5G发展中发挥重要作用,但GaN 的优势将逐步凸显。GaN将以其功率水平和高频性能成为 5G 的关键技术

随着5G网络应用的日益临近,将从2019年开始为 GaN器件带来巨大的市场机遇。相比现有的硅LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体技术)和GaAs(砷化镓)解决方案GaN器件能够提供下一代高频电信网络所需要的功率和效能。

而且,GaN的宽带性能也是实现多频载波聚合等重要新技术的关键因素之一。

GaN HEMT(高电子迁移率场效晶体管)已经成为未来宏基站功率放大器的候选技术。

预计到2025年,GaN将主导射频功率器件市场,抢占基于硅LDMOS技术的基站PA市场。



半导体第三代材料GaN氮化镓应用的三大风口:

(1)5G,氮化镓作为第三代半导体材料,是5G时代的最大受益者之一。不止在射频器件方面,未来5G全行业上下游都可能采用这一新材料。具体个股,大家可以挖掘。

(2)射频 002402 和而泰是采用氮化镓技术生产5G毫米波射频芯片的唯一上市公司);


(3)快充(小米氮化镓快充概念股,阿牛接下来科普)

最后来前瞻分析下周小米GaN氮化镓充电器这个热点可能带来的的个股机会。

据充电头网从供应链获取的信息显示:

小米65W氮化镓充电器的核心器件采用的是美国Navitas纳微半导体氮化镓功率IC。


Navitas 纳微半导体是世界上首个也是唯一的氮化镓功率芯片公司!


氮化镓(gallium nitride,GaN)是第三代半导体材料,其运行速度比旧式慢速硅(Si)技术加快了二十倍,并且能够实现高出三倍的功率,用于尖端快速充电器产品时,可以实现远远超过现有产品的性能,在尺寸相同的情况下,充电速度提高了三倍。

正是借助美国Navitas纳微半导体氮化镓功率IC的GaN技术优势,使得小米65W氮化镓充电器的尺寸仅为56.3mm x 30.8mm x 30.8mm,体积比小米笔记本标配的65W适配器还减小了约48%,约为苹果61W快充充电器的三分之一。

Navitas 半导体是世界上首个也是唯一的氮化镓功率芯片公司,于2013年在美国加州洛杉矶地区成立, Navitas的管理经营团队在半导体材料,电路,应用,系统和市场营销方面有多达200年经验。其中多位创始人共拥有超过125项专利发明。独有的AllGaN程序设计集成了高压高性能的氮化镓功率管和氮化镓驱动逻辑电路。Navitas 氮化镓功率芯片可在移动消费市场,企业市场和 新能源 市场实现更小,更节能,更低成本的方案设计。公司有25多 项专利申请已经被授予专利或在受理中。

经过周末深度挖掘,阿牛发现深圳创业板上市公司 3004XX 公司直接投资参股了这家美国Navitas纳微半导体牛逼公司!




第三代半导体材料氮化镓GaN相关概念公司如下:

(1)3004XX : 投资参股美国Navitas纳微半导体公司(小米GAN快充的氮化镓功率芯片供应商

(2) 海特高新 002023 :海威华芯布局氮化镓功率器件代工,技术达到国际先进水平

(3)富满电子 300671 :充电器主控芯片,与oppo合作研发过GaN的充电器

(4)南大光电 300346 :公司拥有自主知识产权的MO原产品高纯磷烷、砷烷,直接为氮化镓GaNt提供原材料。MO原产品高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项。高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能 电池的重要原材料 。


(5)海陆重工 002255 :旗下江苏华微电子 科技发展有限公有专业研发、生产以氮化镓( GaN)为代表的复合半导体高性能晶圆,并用其做成功率器件。

(6)瑞芯微 603893 :主要从事集成电路的设计与研发,是中国极具创新和务实的集成电路设计公司,为手机快充等多个领域提供专业芯片解决方案

(7)云南锗业 002428子公司云南鑫耀半导体材料有限公司目前已建成砷化镓单晶及晶体产业化生产线,目前GaAs单晶片产能为80万片/年(折合4英寸),2019年上半年产量

(8)有研新材 600206 :公司为国内靶材等半导体材料的龙头企业之一,也是国内水平砷化镓最大的供应商,旗下有研光电拥有如万片/年的GaAs衬底产能。

(9)乾照光电 300102 :是国内最大的能够批量生产砷化镓太阳能电池外延片的企业,研发并生产世界最尖端的高性能砷化镓太阳能电池,填补了该领域的国内空白。

(10)闻泰科技 600745 :车载GaN已经量产,全球最优质的氮化镓供应商之一

(11)三安光电 600703 :化合物半导体代工,已完成部分GaN的产线布局

(12)耐威科技 300456 :公司目前的第三代半导体业务主要是指GaN(氮化镓)材料的生长与器件的设计。公司已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆,且正在持续研发氮化镓器件

(13)士兰微 600460 :4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线

除了氮化镓充电器之外,小米还发布了一款搭载⾼通IPQ8071A芯片的WiFi 6路由器AX3600,这里也简单介绍一下。

WiFi6是最新一代的无线局域网传输技术,实现了更高阶的调制方式、更高的频宽,其理论带宽达到9.6Gbps,可同时工作在2.4G和5G频段下。

简单地说,基于WiFi6技术,将使得无线网设备有更长的续航时间、使得无线网络信号更强、传输效率更高、延时更低,未来将彻底取代之前的WiFi4和WiFi5标准。

基于WiFi6的优越性能,将在5G时代与5G技术形成互补,成为室内网络传输技术的核心,在智能家居物联网场景大量应用。

此次小米发布WiFi6路由器AX3600,将成为业内首个全面支持WiFi6的终端品牌,同时也意味着WiFi6技术进一步商业化。

WiFi6概念股主要如下:

(1) 300812 易天科技(总股本 7800万股,流通 1900万股, 2019年每股收益约1.35元)

(2) 300504 天邑股份(总股本26700万股,流通10500万股, 2019年每股收益约0.46元)

(3) 603118 共进股份(总股本77600万股,流通77600万股, 2019年每股收益约0.38元)

(4) 603068 博通 集成(总股本13900万股,流通 3500万股, 2019年每股收益约1.59元)

(5) 002396 星网锐捷(总股本58300万股,流通56100万股, 2019年每股收益约1.15元)

(6) 688018 乐鑫科技(总股本 8000万股,流通 1800万股, 2019年每股收益约2.01元)

本次小米GaN 快充发布会,能否引发第三代半导体应用热潮?

可以密切关注后面苹果和华为公司的动态。。。

以上仅代表阿牛个人观点,不构成任何投资建议!
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精彩评论
秋枫88

20-02-15 15:21

14
300123 ,亚光科技正宗此概念。2月13日投资者交流报告写的很明白,早已布局,技术实力超强。
鳄豹

20-02-15 23:30

13
又嗨人了、而且祖团的 
    记得康跃科技
    骇人不浅啊
红杉芳芳

20-02-15 15:21

11
氮化镓 2市最有核心技术多渠道布局的已经产业化
    [淘股吧]
    
    
    
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    亚光科技 : 氮化镓、砷化镓等材料芯片 90%以上为自主设计及封测,在专业 Foundry 厂家流片,封装测试在我厂后道生产线完成。目前已批量生产的芯片有 400 多款与西电合作取得突破,中国5G芯片关键材料氮化镓获突破,处于国际领先水平。亚光科技:5G通信的毫米波功率放大器已研制成功并小批量产;砷化镓/氮化镓射频芯片关键技术在芯片制造领域与三安光电 深度进行合作,打造完整的新型半导体 射频芯片产业链。公司已具有全流程硅基芯片生产线,工艺自主可控,生产的微波二 极管是除 XX 所外唯一的军用微波二极管生产厂家,产品可直接替代 MA/COM、 MicroMetrics 等公司产品。
    
    2.10日国家队汇金领队123家机构调研,亚光科技 董秘在调研说:公司在军工、芯片等细分板块领域都是有实在业绩支撑的领头企业,让公司市值配得上公司的业绩是自已的一个目标(市值300亿 )。2.13日再次50几家机构专题调研氮化镓和卫星微波芯片 堪称史上最强的调研.
    
    从西安电子科技大学芜湖研究院获悉,作为芜湖大院大所合作的重点项目,国产化5G通信芯片用最新一代化硅衬底氮化镓材料试制成功,打破国外垄断。这标志着今后国内各大芯片企业生产5G通信芯片,有望用上国产材料。碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料,也是发展第三代半导体产业的关键基础材料。亚光科技披露,其与西安电子科技大学在合作研制第三代半导体项目。
    
    亚光科技:工信部独家合作“中国芯”
    2018年6月29日,工信部选择亚光科技作为中国芯应用创新中心项目的合作伙伴
    成都亚光已在5G通信多通道波束形成芯片、5G通信毫米波通信功放芯片、毫米波卫星通信收发芯片和光通信芯片方面已做了相关布局。
    
    成都亚光于2008年开始自己进行芯片 设计,2010年成立控股子公司-成都华光瑞芯微 电子 股份有限公司该公司已发展为国内一流的微波射频芯片提供商,目前在售芯片超过200种,凭借先进的技术优势和出色的交付能力,已实现了对国外同类射频微波芯片的替代,已向特种行业累计供货60万只,其中超 过60%直接供货给一线整机用户。
    
    请问贵公司和华为有没有业务来往?谢谢。
    2019-12-15 14:45:00
    亚光科技 ( 300123 ) 回答 投资者: 您好,感谢关注。华为相关部门2019年来公司考察过相关产品及元器件。 (来自:深交所互动易)
    亚光科技(300123)核心业务是:5G 和芯片,这些都是华为需要的;
    亚光科技:公司5G功放产品积极与华为、中兴通 讯、爱立信中国移动 等进行了对接拓展
    
    还与美国纳斯达克 上市企业、全球知名的分立、逻辑和模拟半导体 制造商和供应商达迩集团发起合资设立了达尔科技(成都)有限公司,在成都 建成了达迩集团中国最大的表面贴装元器件封装测试和半导体封装测试生产基 地。
    
    卫星互联网 爆发元年,产业发展迎来黄金十年!
    全球49%人口未实现互联网覆盖,卫星互联网是突破数字鸿沟实现“全球互联”的核心基础设施:目前互联网渗透率增长已明显放缓,且中低收入地区放缓更为明显。ITU指出通过传统通信骨干网络在人口与互联网渗透率低的区域实现全球互联的难度较大。卫星互联网是解决地球“无互联网”人口数字鸿沟的主要手段。
大阿牛

20-02-15 20:27

4
特斯拉低价股,是轮炒特征!
    [淘股吧]
    
     000700 爆炒一波3倍后
    
    

    接着 300160 爆炒,300160周五9板巨量,短期估计要震荡了
    
    
    目前来看低价特斯拉 002328    300320 都有可能接力300160,成为下一个低价特斯拉牛股
大阿牛

20-02-15 19:36

4
[图片]
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