有研新材：背靠有研研究院好乘凉。

有研总院是我国重要的微电子和光电子材料工程化研发基地，是国内最早开展微电子与光电子材料研究开发的单位之一。经过多年的努力，有研总院在半导体硅材料制备技术、微电子器件制程用超高纯金属（合金）靶材制造技术、微电子元器件封装材料制备技术等领域拥有一系列工程化成套技术，自主研制出了国际一流的先进设备,技术成果已经转化为国内最大、水平最高的生产能力。“十五”以来，该领域共获得专利256项、国家级奖励1项、省部级奖励5项。建有国家半导体材料工程技术研究中心,涉及的主要研究方向包括极大规模集成电路用单晶硅材料、集成电路制程用配套工艺材料、化合物半导体材料、红外光学材料、第三代半导体、LED配套材料等。本领域涉及的单位有：有研半导体材料股份有限公司；先进电子材料研究所；有研光电新材料责任有限公司；北京康普锡威科技有限公司；有研亿金新材料股份有限公司。1、集成电路用单晶硅材料有研总院长期致力于集成电路用单晶硅材料工程化技术的研究与开发，在大直径热场设计与控制、大体积熔体对流控制、大直径晶体热应力及位错控制、大直径晶体杂质和电阻率均匀性控制等关键技术方面所取得的研究成果达到国际先进水平。在这些成果的基础上发展了大直径硅单晶棒制备技术、（6-12英寸）硅单晶抛光片及外延片制备技术、大直径区熔硅单晶及抛光片制备技术、重掺硅单晶及抛光片制备技术等一系列具有自主知识产权的工程化成套技术，发展成为具有国际先进水平的硅材料工程化技术和产业技术创新基 地，是中国推动极大规模集成电路产业科技创新的骨干单位之一。2、集成电路配套工艺材料有研总院在微电子和光电子核心市场方向上，充分利用（超）高纯有色金属 制备技术、特种加工和焊接技术等综合优势，开展集成电路制程用（超）高纯金属（合金）靶材制造技术、蒸发镀膜材料制备技术、微电子封装用无铅焊料制备技术、微电子热管理材料及制备技术等方面的研究与开发，多项研究成果快速形成生产力，推动了集成电路配套工艺材料技术进步。3、化合物半导体材料有研总院是我国最早开展GaAs、GaP、InP等化合物半导体材料制备技术研究的单位之一，自主开发了垂直梯度凝固法（VGF）制备大直径化合物半导体单晶等多项先进的制备技术方面，并已形成国内产能最大的生产能力。同时，积极跟踪国际先进的化合物半导体制造技术，在VGF法制备6英寸砷化镓单晶技术和装备等方面在国内处于领先水平。4、红外光学材料有研总院是国内最早开展锗单晶、锗化合物、硫系玻璃、CVD硫化锌、CVD硒化锌等光学材料的研究单位之一，在大尺寸低位错锗单晶制备技术、红外特种功能膜制备技术、极端环境用红外材料制备技术等方面拥有多项自主知识产权，技术水平位居国内领先地位。