美国全面制裁封杀中兴：一颗芯片都不卖，直到2025年！
美国商务部在美东时间 4 月 16 日宣布，将禁止美国公司向
中兴通 讯销售零部件、商品、软件和技术 7 年，直到 2025年3月13日。理由是中兴违反了美国限制向伊朗出售美国技术的制裁条款。由于美国公司在这 7 年内都不得卖东西给中兴，对中兴而言，未来不论是产品开发、规划、制造、销售等环节都会造成极大的影响，无疑将重挫中兴的发展。
中国经济的发展阶段
以前中国是低收入国家——劳动力密集型——现在中国已经成为中等收入国家
资本密集型——中国今后的目标：成为发达国家——从资本密集型向技术密集型升级
四次工业革命
第一次工业革命、机械化、；第二次工业革命、电气化；第三次工业革命、自动化；第四次工业革命、智能化
中国的半导体产业
2016, 全球半导体市场规模约3400亿美元，2016, 我国进口2271亿美元，我国进口达全球市场的2/3，我国下游消费电子设备制造占据了很大市场，我国集成电路产业比起美欧韩日差距巨大。
2016全球半导体20强
• 前20位都没有中国公司
• 前20强的门槛是44.55亿美元
• 我国最大的半导体公司是华为旗下的海思半导体
2016销售额303亿元è大约44.5亿美元
• 不出意外, 2017海思将会是中国第一家冲进全球20强的半导体公司
集成电路产业
• 集成电路分成三个部分
设计制造封测
• 2016, 中国集成电路产业总销售额4335.5亿元
设计产业：1644.3亿
制造产业：1126.9亿
封测产业：1564.3亿
集成电路设计
根据IC insight 报告, 全球纯芯片设计公司50强，2009年, 中国只有一家：华为的海思，2016年, 增长到了11家, 且有两家进入前10强，其中海思是世界第六，紫光展锐是世界第十，世界前十名中, 这两家也是增长最快的。2016, 海思和紫光展锐都已是金额超过100亿元的本土IC 设计巨头，2017.Q1, 中国自主设计芯片，全球市场占有率已达全球8%， 中国市场占有率达到13%以上。
集成电路设计– 存储芯片
中国每年进口的芯片中, 存储芯片和CPU占了约75%，目前全球存储芯片主要有三类产品，
DRAM：400亿美元市场，NAND Flash：300亿美元市场，Nor Flash：30亿美元市场
内存(DRAM)
DRAM是最大的存储器领域，读写速度快, 但掉电后数据丢失, 主要用于内存全球市场份额
– 韩国：三星+SK海力士74.2%
– 美国：镁光19.4%
– 台湾三家厂商：5.2%
– 全球其它：1.1%
目前全球DRAM存储器价格飞涨, 韩国在大赚
闪存(NAND Flash)
NAND 闪存读写慢, 但掉电后数据仍保持, 主要用作数据储存，这个市场中
– 三星+ 海力士几乎占了全球一半的份额
– 而前六家几乎垄断了全球100%的市场
在DRAM 和NAND Flash 领域中国几乎没有存在感，2015.07, 中国紫光曾向美国镁光科技提出230亿美元的收购, 结果被拒，韩国的“反周期屠刀”，2008年初, 内存领域共有五大企业，三星, SK海力士, 德国奇梦达, 美国镁光, 日本尔必达，2008金融危机后, 内存价格狂跌，三星在韩国政府支持下急剧扩张业务,故意加剧行业亏损,导致内存价格跌破成本(业界称其为反周期屠刀)，2009年德国奇梦达破产，欧洲大陆厂商就此消失，2012年日本尔必达破产, 然后被镁光收走，曾占领市场50%的日本也退出市场。
2014, 中国的半导体元年
2014年, 十几位院士专家上书中央, 要求国家倾力支持半导体发展，随后, 规模近千亿的国家级基金挂牌成立，韩国用“反周期屠刀”，三星+LG成功打垮日本面板产业，而在中国政府的多年补贴下，面板行业出现了
京东 方，存储器项目则技术门槛更高, 对手也更强大
中国在存储器上的投入，紫光集团控股的长江存储公司，2016.07成立，目前长江存储的重心，3D NAND flash的开发20/18nm 的DRAM的开发，其32层3D NAND芯片顺利实现了整套技术验证和指标测试, 达到预期要求, 2017年底将提供样片，继续开发64层3D NAND, 乐观估计2019年量产。
中韩存储器对比
目前韩国三星已在2017年量产64层NAND，中韩技术差距在两年，韩国在半导体领域的强势主要在内存与闪存，而在存储器以外的其他领域, 韩国的芯片设计产业在中国的冲击下衰退非常严重。2017上半年, 韩国15大IC设计公司中, 50%的企业出现亏损，在存储器领域, 全球只有中国在大力投入研发和制造，未来颠覆韩国的只可能是中国。
存储器领域的革新
相变存储器，DRAM速度快寿命长, 但不能掉电，NAND闪存不怕掉电, 但速度慢寿命短，新型相变存储器(PCRAM)，速度快,寿命长,功耗低,且掉电不丢失数据，被业界认为是下一代存储技术最佳解决方案之一，目前国际上
英特尔 ,镁光,三星等都在开发相变存储器技术，2017年,英特尔和镁光共同研发的“傲腾”存储器，被称为是25年来存储领域最大的革新十年磨一剑
• 2003年,中科院上海微系统所开始研发相变存储器
三折木头
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