扬杰科技：第三代半导体迎来发展机遇

5G时代，一部手机可能就需要16颗PA（功率放大器）芯片，也需要更多的基站、大规模天线（Massive MIMO）、滤波器等，这给第三代半导体带来发展机遇。在“2017中国集成电路产业促进大会高峰论坛”上，多位与会嘉宾聚焦5G与化合物半导体发展前景。

据苏州能讯技术副总裁裴轶介绍，如果采用GaN功放，就会较传统的LDMOS效率提升10%。这意味着每个基站可节电50瓦，全国基站每年可节电130亿度。因此，GaN是毫米波微基站功率放大器的最佳选择。

QYResearch的市场研究报告显示，2016年全球射频前端市场规模为125亿美元，预计到2022年将达到259亿美元，年复合增长率为12.9%。

扬杰科技·300373·在近期接受机构调研时表示，其碳化硅芯片技术已达到国内领先水平。早在2015年7月，扬杰科技即锚定第三代半导体，定增募资不超过10亿元，用于SiC芯片、器件研发及产业化建设等项目。公司在半年报中表示，持续推进第三代半导体项目的研发及产业化，针对650V/1200V碳化硅JBS产品，开发并改进可与硅线相互兼容的生产工艺，以增强产能结构实时调整的能动性。

国民技术·300077·则刚刚开始进入这个领域。公司8月15日披露，其全资子公司深圳前海国民公司与成都邛崃市人民政府签订《化合物半导体生态产业园项目投资协议书》，由前者组织资金，以第二、三代化合物半导体外延片材料为核心基础，在邛崃市打造化合物半导体产业链生态圈，项目总投资将不少于80亿元，预计三年初具规模。

海特高新·002023·通过其子公司海威华芯建设6英寸的第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线。中车时代电气（中国中车 子公司）在高功率SiC器件方面处于国内领先。